选型手册：VSO011N06MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VSO011N06MS是一款面向 60V 低压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOP8 封装，适配低压小型电源管理、负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时 11mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)时 12.8mΩ，低压场景下传导损耗可控；
  • 连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 12A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 8A，满足小型负载的电流需求；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：48A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时小电流冲击。

二、核心特性

• 5V 逻辑电平控制：适配 5V 逻辑驱动，简化低压小型电路设计；
• 低导通电阻：11~12.8mΩ 的阻性表现，保障低压电路能效；
• 小封装集成：SOP8 封装体积小，适配小型化电路板设计；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

四、封装与应用场景

• 封装形式：SOP8 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷；
• 典型应用：
  • 60V 级低压小型 DC/DC 转换器；
  • 消费电子、物联网设备的低压负载开关；
  • 小型低压电源管理模块。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）